Diamas habet praestantia electrice, cum latitudine intervalli usque ad 5.5 eV, et resistentia superiore 1 × 10 12ω·m, et constantia dielectrica usque ad 5.5. Potest uti materia detectoris in ambientibus radiationis per dura. Interim, ex multis excellentibus parametris performance sicut altum voltium resistentiam, magnum radio frequentiam, bassum costum, bassam dispendia potentiae, et altam temperaturam resistentiam, CVD diamantus creditur esse materies promissimus praeparandi generationem sequentem instrumentorum electronicorum magna potentia, magna frequentia, et magna efficientia, et habetur ut "semiconductor ultimus" in industria.
| Proprietates | |
| Nitrogenus Contentus | ＜20 ppb |
| Scelerisque Conductivity | ＞2000 W/mK |
| Processus Norma | |
| Orientatio Crystallographica | 100 110 111 |
| Miscut pro Orientatione Faciei Principalis | ±3° |
| Communis Magnitudo Productus | Intra 5mm×5mm×0.5mm |
| Tolerantia Transversa | ±0.05mm |
| Tolerantia Crassitiei | ±0.1mm |
| Superficiem asperitatem | ＜10nm |
| Incisio Marginis | Laser sectionem |
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